Hyundai hynix ddr4 dimm 8gb pc4 19200

Hyundai hynix ddr4 dimm 8gb pc4 19200

Заказы на ближайшую поставку 16.01 принимаются до 15:00 15.01.2020

Уже знаешь, что заказать?

Быстрый заказ ×

Добро пожаловать в быструю корзину! Здесь Вы можете максимально быстро рассчитать стоимость товара и начать процесс оформления заказа!

Введите данные для заказа:

Формат:
артикул1 количество
артикул2 количество

Пример:
12345 1
12333 2
11345 1

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 Мб/с

Объем
1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
не

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR4

Форм-фактор
DIMM 288-контактный

Тактовая частота
2400 МГц

Пропускная способность
19200 МБ/с

Объем
1 модуль 16 ГБ

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
не

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR2

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
400 МГц

Пропускная способность
3200 Мб/с

Объем
1 модуль 2 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.8 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR2

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
400 МГц

Пропускная способность
3200 Мб/с

Объем
1 модуль 1 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.8 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR2

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
400 МГц

Пропускная способность
3200 Мб/с

Объем
1 модуль 1 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.8 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR2

Форм-фактор
FB-DIMM 240-контактный

Тактовая частота
667 МГц

Пропускная способность
5300 Мб/с

Объем
1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
SODIMM 204-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 МБ/с

Объем
1 модуль 2 ГБ

Поддержка ECC
нет

Буферизованная (Registered)
нет

Низкопрофильная (Low Profile)
н

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR2

Форм-фактор
FB-DIMM 240-контактный

Читайте также:  Игра на javascript canvas

Тактовая частота
667 МГц

Объем
1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
нет

CAS Latency (CL)
5

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Объем
1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Напряжение питания
1.5 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 Мб/с

Объем
1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.35 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 Мб/с

Объем
1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Объем
1 модуль 1 Гб

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
нет

Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Количество чипов каждого модул

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 МБ/с

Объем
1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC
нет

Буферизованная (Registered)
нет

Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 МБ/с

Объем
1 модуль 16 ГБ

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
н

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Объем
1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Напряжение питания
1.35 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Читайте также:  Как красиво фотографировать на айфон

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR2

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
400 МГц

Пропускная способность
3200 Мб/с

Объем
1 модуль 2 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.8 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 Мб/с

Объем
1 модуль 32 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.35 В

Количество ранков
4

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1066 МГц

Пропускная способность
8500 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
не

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.35 В

Количество ранков
2

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR2

Форм-фактор
FB-DIMM 240-контактный

Тактовая частота
667 МГц

Пропускная способность
5300 Мб/с

Объем
1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 Мб/с

Объем
1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
не

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 МБ/с

Объем
1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
да

Читайте также:  Стандартный пароль на айфон 5s

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1066 МГц

Пропускная способность
8500 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Буферизованная (Registered)
да

Низкопрофильная (Low Profile)
не

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1066 МГц

Пропускная способность
8500 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Напряжение питания
1.5 В

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 МБ/с

Объем
1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC
нет

Буферизованная (Registered)
нет

Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Производитель: Hynix. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
LRDIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 Мб/с

Объем
1 модуль 32 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector